製品紹介

SiCウェハー SiC Wafer

シリコンに比べてバンドキャップ幅が約3倍広く、熱伝導率も約3倍高いという特性を持っております。
また、絶縁破壊に至る電界強度も約10倍大きく、様々なパワー半導体の他、RFアンプや発光ダイオード(LED)どの基板としても使用されています。

4インチ/4H-Nタイプ
オフ角度 グレード マイクロバイブ数 厚さ 表面加工仕上げ
4°±0.5° プロダクション ≦10cm-2 350±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)
リサーチ ≦30cm-2
ダミー 不問
3インチ/4H-Nタイプ
オフ角度 グレード マイクロバイブ数 厚さ 表面加工仕上げ
4°±0.5°
0°±0.5°
プロダクション ≦10cm-2 350±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)
リサーチ ≦30cm-2
ダミー ≦100cm-2
3インチ/6H-半絶縁性
オフ角度 グレード マイクロバイブ数 厚さ 表面加工仕上げ
0°±0.5° プロダクション ≦10cm-2 350±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)
リサーチ ≦30cm-2
ダミー ≦100cm-2
2インチ/4H-Nタイプ
オフ角度 グレード マイクロバイブ数 厚さ 表面加工仕上げ
4°±0.5°
0°±0.5°
プロダクション ≦10cm-2 330±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)
リサーチ ≦30cm-2
ダミー ≦100cm-2
2インチ/6H-Nタイプ
オフ角度 グレード マイクロバイブ数 厚さ 表面加工仕上げ
0°±0.5° プロダクション ≦10cm-2 330±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)
リサーチ ≦30cm-2
ダミー ≦100cm-2
2インチ/6H-半絶縁性
オフ角度 グレード マイクロバイブ数 厚さ 表面加工仕上げ
0°±0.5° プロダクション ≦10cm-2 330±25um Si面:CMP仕上
C面:光学鏡面仕上(ミラー)
リサーチ ≦30cm-2
ダミー ≦100cm-2